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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0013386 (1993-02-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 261 인용 특허 : 0 |
An apparatus for and a method of growing thin films of the elemental semiconductors (group IVB), i.e., silicon, germanium, tin, lead, and, especially diamond, using modified atomic layer epitaxial (ALE) growth techniques are disclosed. In addition, stoichiometric and non-stoichiometric compounds of
A growth apparatus for atomic layer epitaxial (ALE) growth of thin films upon the surfaces of a plurality of substrates of the elemental semiconductors comprising: a growth reactor chamber means for securing said plurality of substrates therein to allow the growth of thin films upon said surfaces th
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