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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0911582 (1992-07-10) |
우선권정보 | JP-0199717 (1991-08-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 47 인용 특허 : 0 |
An upper insulating layer is formed on an upper surface of a gate electrode formed on an insulating substrate. A gate insulating layer is formed on sidewalls of the gate electrode and the surfaces of the upper insulating layer. A semiconductor layer is formed on the surfaces of the gate insulating l
A thin film field effect element, comprising: a gate electrode formed on a surface of an insulating base layer a gate insulating layer formed on said surface of the insulating base layer and surfaces of said gate electrode; a semiconductor layer formed on surfaces of said gate insulating layer; a ch
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