[특허]Solid state image sensing device

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-031/06 H01L-027/14
출원번호	US-0865487 (1992-04-09)
우선권정보	JP-0006667 (1991-04-10)
발명자 / 주소	Hamasaki Masaharu (Kanagawa JPX)
출원인 / 주소	Sony Corporation (Tokyo JPX 03)
인용정보	피인용 횟수 : 17 인용 특허 : 0

초록 ▼

A solid state image sensing device has a plurality of photo sensing elements arranged in a two-dimensional fashion at pixel units pixel unit in the horizontal and vertical directions. Each of the plurality of photo sensing elements is formed of a vertical selection transistor whose gate electrode is connected to a horizontal selection line and whose source electrode is connected to a vertical signal line. A photoelectric conversion element is provided under a channel region of the vertical selection transistor. A high concentration impurity is buried in lower portions of the source electrode and the channel region. When a voltage is applied to the source electrode, a signal charge which is subjected to a photoelectric conversion by the photoelectric conversion element is reset. Reset noise, Vth irregularity, smear component and the surface dark current can be reduced and blooming is suppressed.

대표청구항 ▼

A solid state image sensing device, comprising: a plurality of photo-sensing elements arranged in a two-dimensional fashion at respective pixel units in horizontal and vertical directions, each of said plurality of photo-sensing elements being formed of a vertical selection transistor whose gate electrode is connected to a horizontal selection line and whose source region is connected to a vertical signal line, and a photo-electric conversion element being provided at a channel region of said vertical selection transistor, said photo-electric conversion element creating a charge by photo-electric conversion when light is applied thereto; impurity region means of high concentration in a relatively lower concentration region, said impurity region means being buried beneath and connected to said source region and also buried beneath said channel region for draining said charge from said photo-electric conversion element to a location under said drain region when a voltage is applied to said source region, the impurity region means being connected to said source region by an upwardly extending high concentration impurity region; and said charge comprising holes at a p-n junction of said photo-electric conversion element at a bottom of said channel region.

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Watanabe Takashi,JPX ; Kudo Hiroaki,JPX, Amplifying type photoelectric converting device and amplifying type solid-state imaging apparatus using the same.
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Fossum Eric R., Quantum efficiency improvements in active pixel sensors.
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Kuwazawa,Kazunobu, Solid-state imaging device.
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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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