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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0866776 (1992-04-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 0 |
An RF-insensitive semiconductor ignitor and primer cup assembly is created using a double polished n-type silicon substrate having its top and bottom surfaces partially metallized to form Schottky barrier diodes. The metallized portion of the back side of the substrate is placed in contact with a co
A semiconductor ignitor comprising a silicon substrate having substantially planar top and bottom faces, a layer of metal deposited over only a portion of said bottom face to form a Schottky barrier diode and contact pad thereon, another layer of metal deposited over a smaller portion of said top fa
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