[특허]Process for forming crystalline semiconductor film

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Process for forming crystalline semiconductor film 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/20
출원번호	US-0790083 (1991-11-13)
우선권정보	JP-0081103 (1989-03-31); JP-0110386 (1989-04-28)
발명자 / 주소	Sato Nobuhiko (Atsugi JPX) Yonehara Takao (Atsugi JPX) Kumomi Hideya (Tokyo JPX)
출원인 / 주소	Canon Kabushiki Kaisha (Tokyo JPX 03)
인용정보	피인용 횟수 : 20 인용 특허 : 0

초록 ▼

A process for forming a crystalline semiconductor film by crystallization through solid phase growth of an amorphous semiconductor film on a base material comprises implanting ions of an element constituting the amorphous semiconductor film into the amorphous semiconductor film except a fine region therein, then heat-treating the amorphous semiconductor film at a temperature not higher than the melting point of the amorphous semiconductor film, thereby generating a crystal nucleus in the fine region, and making a crystal grow at the crystal nucleus as growth point.

대표청구항 ▼

A process for forming a polycrystalline semiconductor film by crystallization through solid phase growth of an amorphous semiconductor film on a base material, which comprises: (i) selectively implanting ions of an element constituting the amorphous semiconductor film into the amorphous semiconducto

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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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