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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0773162 (1991-10-08) |
우선권정보 | JP-0271262 (1990-10-09); JP-0271263 (1990-10-09); JP-0271264 (1990-10-09); JP-0321805 (1990-11-26); JP-0328090 (1990-11-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 152 인용 특허 : 0 |
Thin-film SOI semiconductor devices formed in a thin film Si semiconductor substrate layer formed on an insulating layer on a semiconductor substrate have improved electrical characteristics and reliable reproducibility of those characteristics in the mass production, which are obtained by utilizing
A thin-film SOI semiconductor device, comprising: an n+-type semiconductor substrate having a high concentration of n-type impurity for maintaining the threshold voltage of the device constant; an insulating film formed on a surface of said substrate; and a thin silicon film doped with impurities an
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