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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0990085 (1992-12-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 75 인용 특허 : 0 |
The thicknesses of the intrinsic layers of the cells comprising a tandem photovoltaic device are selected so that the cell having the highest quality semiconductor material produces the lowest photocurrent. That cell will then be the dominant cell in the tandem device and its material properties wil
A tandem photovoltaic device of the type comprising a stacked array of P-I-N photovoltaic cells disposed in an optical and electrical series relationship, said device comprising: an electrically conductive bottom electrode; a first P-I-N type photovoltaic cell disposed upon the bottom electrode, sai
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