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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0981427 (1992-11-25) |
우선권정보 | JP-0032689 (1990-02-14); JP-0016586 (1991-02-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 0 |
A method of manufacturing a semiconductor device includes the steps of forming a first insulating layer having a hole on a substrate, selectively forming a conductive layer in the hole, selectively forming a second insulating layer on the first insulating layer, patterning the second insulating laye
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: forming a first insulating layer having an opening on a substrate; selectively forming a first conductive layer in said opening; making insulative a surface of the part of said first conductive layer except for that portion o
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