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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0994157 (1992-12-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 14 인용 특허 : 0 |
Low temperature wafer bonding process enhancement makes a wafer surface hydrophobic, preparing it with a buffered oxide etchant and then exposing it to H2O2 before thermoelectric bonding. Has particular application to diaphragm-based pressure sensor construction.
An enhancement to low temperature bonding processes for bonding the surfaces of two wafers that makes at least one of said surfaces hydrophobic, comprising the steps of: a) dipping at least one of the wafers in a buffered oxide etch, and rinsing off the etchant, then b) dipping the same wafer in an
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