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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0985086 (1992-12-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 41 인용 특허 : 0 |
An article of manufacture having an epitaxial (111) magnesium oxide (MgO) layer, suitable for use as a buffer layer, on a (111) surface of a tetrahedral semiconductor substrate, and method for its manufacture is described. The article may further include an epitaxial oxide overlayer on the (111) MgO
A structure comprising: a (111) oriented tetrahedral compound semiconductor substrate; and a layer of epitaxial (111) magnesium oxide on said substrate.
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