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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0931077 (1992-08-17) |
우선권정보 | KR-0014124 (1991-08-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 0 |
A semiconductor memory cell and device having a tubular formed storage electrode of a capacitor through which a bit line passes. The source, gate and drain of a switching transistor are arranged in a direction parallel to a longitudinal axis of the tubular storage electrode. An active region also is
A semiconductor memory device, comprising: a plurality of switching transistors each having a gate and source and drain regions formed in an active region of a semiconductor substrate; word lines coupled to the gates of the switching transistors through an insulating layer; bit lines coupled to the
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