최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0991702 (1992-12-17) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 53 인용 특허 : 0 |
An ESD protection circuit and structure for integrated circuit devices uses a lateral NPN transistor to provide a low resistance discharge path for ESD transient voltages. A preferred structure also includes a modification to an N-channel output drive transistor to eliminate the parasitic bipolar tr
An electrostatic discharge protection circuit for a semiconductor integrated circuit, comprising: an input/output bonding pad; an output driver connected to said bonding pad; a bipolar transistor connected to said bonding pad, wherein a high voltage on said bonding pad causes said bipolar transistor
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.