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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0925965 (1992-08-05) |
우선권정보 | JP-0265879 (1991-10-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 0 |
There is disclosed a heterojunction bipolar transistor (HBT) which operates as either the emitter top mode performance or the collector top mode performance and also operates for low power dissipation due to lower ON voltages. A high gain, ultra-high speed semiconductor device is also disposed which
A heterojunction bipolar transistor comprising: (a) an InP substrate and (b) a collector or emitter layer of p type InxAl1-xAs lattice matched to the InP substrate, (c) a base layer of n type InxGa1-xAs (d) an emitter or collector layer of p type InxAl1-xAs lattice matched to the InP substrate, said
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