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특허 상세정보

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Temperature sensing circuit

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) G06G-007/10    H03K-005/22   
미국특허분류(USC) 307/310 ; 307/350 ; 307/355 ; 307/356
출원번호 US-0907477 (1992-07-01)
우선권정보 GB-0015677 (1991-07-19); JP-0203535 (1991-07-19)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 21  인용 특허 : 0
초록
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A temperature sensing circuit has a first insulated gate field effect device which is operated deep into its subthreshold region where the voltage across the device varies with temperature and has a second insulated gate field effect device which is operated in an area of its square law region where the voltage across the second insulated gate field effect device is substantially independent of temperature. A comparator compares the voltages across the first and second field effect devices and provides a signal OT indicating the temperature sensed by the...

대표
청구항
▼

A temperature sensing circuit comprising: a first insulated gate field effect device, a second insulated gate field effect device, means for operating the first insulated gate field effect device in its subthreshold region so that the voltage across the first insulated gate field effect device varies with temperature, means for comparing the voltages across the first and second insulated gate field effect devices, and means for operating the second insulated gate field effect device in an area of its square law region where the voltage across the second ...

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 21

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