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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0907477 (1992-07-01) |
우선권정보 | GB-0015677 (1991-07-19); JP-0203535 (1991-07-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 21 인용 특허 : 0 |
A temperature sensing circuit has a first insulated gate field effect device which is operated deep into its subthreshold region where the voltage across the device varies with temperature and has a second insulated gate field effect device which is operated in an area of its square law region where
A temperature sensing circuit comprising: a first insulated gate field effect device, a second insulated gate field effect device, means for operating the first insulated gate field effect device in its subthreshold region so that the voltage across the first insulated gate field effect device varie
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