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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0049101 (1993-04-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 0 |
A solar cell or photo diode has an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer which form a pn-junction at the metallurgical interface of the layers. A thin sheet of undoped semiconductor is located at the interface or the lower doped layer. The sheet has less recombination centers t
In a solar cell or photo diode device having an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer forming a pn-junction at the metallurgical interface of said layers, the improvement being in that a thin sheet with reduced density of recombination centers is inserted into a lesser doped re
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