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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0770041 (1991-10-03) |
우선권정보 | JP-0271727 (1990-10-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 91 인용 특허 : 0 |
A semiconductor device of a field effect transistor having an SOI structure is formed as below. Using a gate electrode 20 as a mask, n type impurities are implanted into an SOI layer of p type to form additional source/drain regions of intermediate concentration. Then, a relatively thin sidewall spa
A semiconductor device comprising: a semiconductor layer formed on an insulator layer, a channel region of a first conductivity type formed in said semiconductor layer, first source/drain regions of a second conductivity type formed in said semiconductor layer adjacent to the left and right sides of
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