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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0966048 (1993-03-01) |
우선권정보 | FR-0008488 (1990-07-04) |
국제출원번호 | PCT/FR91/00541 (1991-07-04) |
§371/§102 date | 19930103 (19930103) |
국제공개번호 | WO-9201313 (1992-01-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 160 인용 특허 : 0 |
A thin-layer field-effect transistor (TFT) with an MIS structure includes a thin semiconductor layer between a source and a drain. The thin semiconductor layer is in contact with one surface of a thin layer made of insulating material, and in contact by its other surface with a conducting grid. The
A thin-layer field-effect transistor (TFT) with an MIS structure comprising a thin semiconductor layer between a source and a drain, said thin semiconductor layer being in contact with one surface of a thin layer made of insulating material, and said thin insulating layer being in contact by its oth
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