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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0073095 (1993-06-07) |
우선권정보 | EP-0109582 (1992-06-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 0 |
A first power FET has a source terminal, a gate terminal and a drain terminal and a load is connected in series with the source terminal of the power FET. A circuit configuration for triggering the first power FET includes a first input terminal. A first diode and a capacitor are connected between t
In a circuit including a first power FET having a source terminal, a gate terminal and a drain terminal connected to a power supply, and a load connected in series with the source terminal of the first power FET, a circuit configuration for triggering the first power FET, comprising: a) a first inpu
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