[특허]Overheating detection circuit for detecting overheating of a power device

Overheating detection circuit for detecting overheating of a power device 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	G08B-017/06
출원번호	US-0796266 (1991-11-21)
우선권정보	JP-0322143 (1990-11-26); JP-0229238 (1991-09-10); JP-0292581 (1991-11-08)
발명자 / 주소	Nishiura Masaharu (Kawasaki JPX) Fujihira Tatsuhiko (Kawasaki JPX)
출원인 / 주소	Fuji Electric Co., Ltd. (Kawasaki JPX 03)
인용정보	피인용 횟수 : 24 인용 특허 : 0

초록 ▼

An arrangement for detecting overheating of a power integrated circuit includes a power device integrated in a semiconductor substrate and an overheating detection circuit. The overheating detection circuit includes a reverse biased pn junction formed in the same semiconductor substrate as the power device and having a reverse leakage current flow which is temperature dependent, and a voltage converter formed in the same semiconductor substrate as the power device and coupled to the pn junction for producing a voltage depending on the reverse leakage current flow. A threshold circuit is connected for receiving the voltage and producing a signal when the voltage exceeds a threshold voltage to indicate that the power device is overheated.

대표청구항 ▼

An overheating detect ion arrangement for detecting overheating of a power integrated circuit, including: a power device integrated in a semiconductor substrate; and an overheating detection circuit, including: a reverse biased pn junction formed in the same semiconductor substrate as said power device and having a reverse leakage current flow which is temperature dependent; voltage means formed in said semiconductor substrate as said power device and coupled to said pn junction for producing a voltage depending on the reverse leakage current flow; and threshold means connected for receiving the voltage and producing a signal when the voltage exceeds a threshold voltage to indicate that said power device is overheated.

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