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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0740439 (1991-08-05) |
우선권정보 | JP-0206548 (1990-08-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 244 인용 특허 : 0 |
A process for preparing a semiconductor member by forming a member having a non-porous monocrystalline semiconductor region on a porous monocrystalline semiconductor region, bonding the insulating surface of a member to the surface of the non-porous monocrystalline semiconductor region, and then rem
A process for preparing a semiconductor member comprising the steps of: forming a member having a non-porous monocrystalline semiconductor region on a porous semiconductor region, said porous semiconductor region maintaining the monocrystalline structure, bonding the surface of a member wherein the
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