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Process for fabricating improved multilayer interconnect systems 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • B05D-005/12
출원번호 US-0161764 (1993-12-02)
발명자 / 주소
  • Kaja Suryanarayana (Hopewell Junction NY) O\Sullivan Eugene J. (Nyack NY) Schrott Alejandro G. (New York NY)
출원인 / 주소
  • International Business Machines Corporation (Armonk NY 02)
인용정보 피인용 횟수 : 28  인용 특허 : 0

초록

The invention provides a multilayer laminar interconnect package comprising a plurality of conductor circuit layers adhering to and sandwiched between a plurality of dielectric polyimide polymer layers where the conductor circuit layers are a circuit pattern of lines of conductive metal. The conduct

대표청구항

A process for fabricating a multilayer interconnect package comprising conductor circuit layers separated by and adhered to polyimide dielectric layers comprising: a) forming a circuit pattern of conductive metal lines on a substrate; b) electrolessly depositing a capping metal layer on the surface

이 특허를 인용한 특허 (28)

  1. Farooq Mukta Shaji ; Kaja Suryanarayana ; Perfecto Eric Daniel ; White George Eugene, Capped copper electrical interconnects.
  2. Reid, Jonathan D.; Webb, Eric G.; Minshall, Edmund B.; Kepten, Avishai; Stowell, R. Marshall; Mayer, Steven T., Capping before barrier-removal IC fabrication method.
  3. Reid, Jonathan D.; Webb, Eric G.; Minshall, Edmund B.; Kepten, Avishai; Stowell, R. Marshall; Mayer, Steven T., Capping before barrier-removal IC fabrication method.
  4. Reid, Jonathan D.; Webb, Eric G.; Minshall, Edmund B.; Kepten, Avishai; Stowell, R. Marshall; Mayer, Steven T., Capping before barrier-removal IC fabrication method.
  5. Reid, Jonathan D.; Webb, Eric G.; Minshall, Edmund B.; Kepten, Avishai; Stowell, R. Marshall; Mayer, Steven T., Capping before barrier-removal IC fabrication method.
  6. Yakobson,Eric; Hurtubise,Richard; Witt,Christian; Chen,Qingyun, Capping of metal interconnects in integrated circuit electronic devices.
  7. Yakobson,Eric; Hurtubise,Richard; Witt,Christian; Chen,Qingyun, Capping of metal interconnects in integrated circuit electronic devices.
  8. Semkow Krystyna W. ; O'Sullivan Eugene J., Corrosion protection for metallic features.
  9. Cheng Tien-Jen ; Giri Ajay P. ; Malhotra Ashwani K. ; Pennacchia John R. ; Perfecto Eric D. ; Yu Roy, Corrosion-resistant terminal metal pads for thin film packages.
  10. Park, Heung L.; Webb, Eric G.; Reid, Jonathan D.; Cleary, Timothy Patrick, Electroless layer plating process and apparatus.
  11. Koos, Daniel A.; Mayer, Steven T.; Park, Heung L.; Cleary, Timothy Patrick; Mountsier, Thomas, Fabrication of semiconductor interconnect structure.
  12. Mayer, Steven T.; Koos, Daniel A.; Webb, Eric, Fabrication of semiconductor interconnect structure.
  13. Mayer, Steven T.; Koos, Daniel A.; Webb, Eric, Fabrication of semiconductor interconnect structure.
  14. Koos,Daniel A.; Mayer,Steven T.; Park,Heung L.; Cleary,Timothy Patrick; Mountsier,Thomas, Method for fabrication of semiconductor interconnect structure with reduced capacitance, leakage current, and improved breakdown voltage.
  15. Tran Sang Q., Method of forming a hot film sensor system on a model.
  16. Mayer, Steven T.; Porter, David W., Modulated metal removal using localized wet etching.
  17. Balzer Peter Lynn ; Lewis Robert Lee ; Sebesta Robert David, Multilayered circuitized substrate and method of fabrication.
  18. Vivian W. Ryan, Process for fabricating copper interconnect for ULSI integrated circuits.
  19. Shih, Chien-Hsueh; Tsai, Minghsing; Yu, Chen-Hua; Yeh, Ming-Shih, Process for improving copper line cap formation.
  20. Shih, Chien-Hsueh; Tsai, Minghsing; Yu, Chen-Hua; Yeh, Ming-Shih, Process for improving copper line cap formation.
  21. Cheng Tien-Jen ; Giri Ajay P. ; Malhotra Ashwani K. ; Pennacchia John R. ; Perfecto Eric D. ; Yu Roy, Process for producing corrosion-resistant terminal metal pads for thin film packages.
  22. Mayer, Steven T.; Porter, David W., Reduced isotropic etchant material consumption and waste generation.
  23. Mayer, Steven T.; Porter, David W., Reduced isotropic etchant material consumption and waste generation.
  24. Nakano, Hiroshi; Itabashi, Takeyuki; Akahoshi, Haruo, Semiconductor device having cobalt alloy film with boron.
  25. Mayer, Steven T.; Rea, Mark L.; Hill, Richard S.; Kepten, Avishai; Stowell, R. Marshall; Webb, Eric G., Topography reduction and control by selective accelerator removal.
  26. Mayer, Steven T.; Webb, Eric G.; Porter, David W., Wet etching methods for copper removal and planarization in semiconductor processing.
  27. Mayer, Steven T.; Webb, Eric; Porter, David W., Wet etching methods for copper removal and planarization in semiconductor processing.
  28. Mayer, Steven T.; Webb, Eric; Porter, David W., Wet etching methods for copper removal and planarization in semiconductor processing.
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