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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0158385 (1993-11-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 30 인용 특허 : 0 |
A device and a method of formation on a substrate of a semiconductor interconnection via structure for semiconductor devices is provided. Initially, form a first metal layer on the substrate, a first dielectric layer upon the first metal layer, and a mask upon the dielectric layer with a metal etchi
A method of formation on a substrate of a device with a semiconductor interconnection via structure for semiconductor devices, comprising, a) forming a first metal layer on said substrate, b) forming a first dielectric layer upon said first metal layer, c) forming a mask upon said dielectric layer w
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