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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0241946 (1994-05-12) |
우선권정보 | JP-0083509 (1992-04-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 37 인용 특허 : 0 |
A method of making a semiconductor device having formed thereon an inductor comprises a silicon substrate. A cut out region is obtained by removing a part of the silicon substrate in a hollow shape which may be a hollow cavity or a hollow cavity with an insulating material having a low complex permi
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