최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0085955 (1993-07-06) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 33 인용 특허 : 0 |
A new method of forming the dielectric layer of an integrated circuit is described. A thick insulating layer is formed over semiconductor device structures in and on a semiconductor substrate. A first metal layer is deposited over the thick insulating layer. The first metal layer is etched using con
The method of forming the intermetal dielectric layer of an integrated circuit while preventing outgassing from said intermetal dielectric layer comprising: providing a thick insulating layer over semiconductor device structures in and on a semiconductor substrate; depositing a first metal layer ove
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.