[특허]Electronic device and process achieving a reduction in alpha particle emissions from boron-based compounds essentially f

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Electronic device and process achieving a reduction in alpha particle emissions from boron-based compounds essentially f 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/70 H01L-027/00
출원번호	US-0017543 (1993-02-16)
발명자 / 주소	Baumann Robert C. (Dallas TX) Hossain Timothy Z. (Ithaca NY)
출원인 / 주소	Texas Instruments Incorporated (Dallas TX 02a part interest)
인용정보	피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 0

초록 ▼

Reduced soft errors in charge-sensitive circuit elements such as volatile memory cells 200 occur by using boron-11 to the exclusion of boron-10 or essentially free of boron-10 in borosilicate glass 230, 240 deposited on the substrate 206 directly over the arrays of memory cells. Boron-10 exhibits a high likelihood of fission to release a 1.47 MeV alpha particle upon capture of a naturally occurring cosmic ray neutron. This capture occurs frequently in boron-10 because of its high neutron capture cross-section. Boron-11 does not fission.

대표청구항 ▼

A process of making a dynamic random access memory part comprising: A. forming an array of memory cells in a semiconductor substrate with each cell including a pass transistor and a capacitor; and B. forming a layer of borosilicate glass over at least the capacitor with the boron in the borosilicate

이 특허를 인용한 특허 (16)

Hossain Tim Z. ; Crawford ; Jr. Franklin D. ; Tiffin Don A., Alternative process for BPTEOS/BPSG layer formation.
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Hossain Tim Z. ; Crawford ; Jr. Franklin D. ; Tiffin Don A., Boron implanted dielectric structure.
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Lee, Yung-Huei; Tsai, Chou-Jie; Wu, Chia-Fang; Chu, Wei-Cheng, IC in-process solution to reduce thermal neutrons soft error rate.
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Kaim, Robert; Sweeney, Joseph D.; Avila, Anthony M.; Ray, Richard S., Method and apparatus for enhanced lifetime and performance of ion source in an ion implantation system.
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Deviprasad Malladi, Method for reducing soft error rates in semiconductor devices.
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Easler, Timothy E.; Szweda, Andrew; Stein, Eric, Method of forming a silicon carbide material, and structures including the material.
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Easler, Timothy E.; Szweda, Andrew; Stein, Eric, Precursor formulation of a silicon carbide material.
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Hirano, Yuuichi; Ipposhi, Takashi, Semiconductor storage device having high soft-error immunity.
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El-Kareh Badih ; Kleinhenz Richard Leo ; Schuster Stanley Everett, Trench capacitor structures.
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특허 원문 보기

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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