최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0161642 (1993-12-01) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 25 인용 특허 : 0 |
An integrated circuit fabrication method begins with semiconductor devices formed on a substrate. A patterned metal layer is deposited on the substrate to connect the semiconductor devices. A nitride layer is deposited over the metal layer and substrate. The nitride layer topography comprises hills
A method of manufacturing an integrated circuit, on a substrate, comprising the steps of: depositing a patterned metal layer on said substrate; and fabricating a dielectric cover over the patterned metal layer, comprising the steps of: depositing a nitride layer, absent sufficient oxygen to cause li
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.