[특허]High-temperature Josephson junction and method

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-039/22
출원번호	US-0056557 (1993-04-30)
발명자 / 주소	Bozovic Ivan (Palo Alto CA) Eckstein James N. (Palo Alto CA) Klausmeier-Brown Martin E. (San Jose CA) Virshup Gary F. (Cupertino CA)
출원인 / 주소	Varian Associates, Inc. (Palo Alto CA 02)
인용정보	피인용 횟수 : 19 인용 특허 : 0

초록 ▼

A hysteretic high-Tc trilayer Josephson junction, and a method of forming the same are disclosed. The junction includes lower and upper high Tc superconducting cuprate films separated by a barrier layer, where the thin films each include a molecular junction layer adjacent the barrier layer which is characterized by a high-Tc cuprate stoichiometry and crystal structure, and a flat two-dimensional surface, as evidenced by its electron diffraction pattern using reflected high-energy electron diffraction. The junction and barrier layers in the junction are formed by atomic layer-by-layer deposition.

대표청구항 ▼

A hysteretic high-Tc trilayer Josephson junction device comprising a substrate, first and second high-Tc superconducting cuprate films formed on the substrate, a molecular insulating barrier layer between the two films, and current and voltage electrodes between said first and second high-Tc layers,

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Greer, Frank; Steinbach, Andy, Atomic layer deposition of metal-oxide tunnel barriers using optimized oxidants.
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Pramanik, Dipankar; Greer, Frank; Steinbach, Andrew, Catalytic growth of Josephson junction tunnel barrier.
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Sandhu, Gurtej; Derderian, Garo J., Film composition.
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Bozovic, Ivan; Logvenov, Gennady; Gozar, Adrian Mihai, High temperature interfacial superconductivity.
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Chan Hugo W., High-temperature SSNS and SNS Josephson junction and method of making junction.
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Silver Arnold H., In-situ fabrication of a superconductor hetero-epitaxial Josephson junction.
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Alfred Zehe MX, Josephson junction array device, and manufacture thereof.
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Shimizu, Akira; Kobayashi, Akiko; Kanayama, Hiroki, Method for controlling flow and concentration of liquid precursor.
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Niu, Feng; Chow, Peter, Method of forming very reactive metal layers by a high vacuum plasma enhanced atomic layer deposition system.
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Chan Hugo W., Method of making high-T.sub.c SSNS and SNS Josephson junction.
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Greer, Frank; Steinbach, Andy, Plasma cleaning of superconducting layers.
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Sandhu, Gurtej; Derderian, Garo J., Semiconductor device with novel film composition.
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Steinbach, Andrew; Bonetti, Tony; Greer, Frank; Pang, Kurt; Wang, Yun, Superconducting junctions.
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Silver Arnold H., Superconductor hetero-epitaxial josephson junction.
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특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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