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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0939190 (1992-09-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 0 |
A magnetoresistor (MR) and a non-magnetoresistor (NMR) are formed of indium antimonide or other magnetoresistive material in thermal proximity to each other on an integrated circuit substrate (100). Hall effect shorting strips (104) are formed on the magnetoresistor (MR) to make it much more magneto
A magnetoresistive sensor circuit, comprising: a magnetoresistor having a resistance which varies with an applied magnetic flux; a non-magnetoresistor which is disposed in thermal proximity to the magnetoresistor and has a resistance which is substantially unaffected by said magnetic flux; said resi
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