[특허]Method and apparatus for vapor deposition of diamond

Method and apparatus for vapor deposition of diamond 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C23C-016/00
출원번호	US-0905226 (1992-06-29)
우선권정보	JP-0083318 (1987-04-03); JP-0220437 (1987-09-04); JP-0245853 (1987-10-01); JP-0250598 (1987-10-06); JP-0257632 (1987-10-13); JP-0257635 (1987-10-13); JP-0320142 (1987-12-19); JP-0330130 (1987-12-28); JP-0003
발명자 / 주소	Kurihara Kazuaki (Atsugi JPX) Sasaki Kenichi (Atsugi JPX) Kawarada Motonobu (Atsugi JPX) Koshino Nagaaki (Yokohama JPX)
출원인 / 주소	Fujitsu Limited (Kawasaki JPX 03)
인용정보	피인용 횟수 : 46 인용 특허 : 0

초록 ▼

An apparatus for a vapor deposition of diamond by: effecting an arc discharge while feeding a discharge gas between an anode and a cathode of a thermal plasma chemical vapor deposition device; radicalizing a gaseous carbon compound by feeding the gaseous carbon compound to a generated plasma jet; and permitting said radicalized plasma jet to impinge on a substrate to be treated, whereby a film of diamond is formed on said substrate.

대표청구항 ▼

A direct current plasma torch apparatus for vapor deposition comprising: a first electrode having a first polarity comprising an enclosed body defining therein a plurality of open nozzles for jetting thermal plasma and a discharge feed pipe; a second electrode disposed in said body and comprising a plurality of individual electrode elements, said second electrode having a second polarity opposite to said first polarity, said electrodes being arranged to present a discharge zone therebetween, said feed pipe being disposed for feeding a feed gas into said zone; a power source supply system for applying a direct current voltage between said electrodes at said zone to form the discharge gas that is fed to the zone into a thermal plasma and to cause said thermal plasma to be jetted through said nozzle as a plasma jet; a starting gas feeding system for feeding gaseous starting compounds for vapor phase deposition into said plasma jet; a support for supporting a substrate in the plasma jet and permitting a thermal plasma chemical vapor deposition film to be deposited from the vapor phase onto the substrate; and means for cooling the substrate by first cooling said support, said nozzles of the first electrode each having an inner wall and said electrode elements of the second electrode each being positioned adjacent a respective inner wall as so to present at least a portion of said discharge zone therebetween.

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