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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0084145 (1993-07-01) |
우선권정보 | JP-0178541 (1992-07-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 0 |
An ion implantation apparatus is intended to perform the ion implantation for the desired surface of a target irrespective of the surface geometry thereof, and to simplify the structure. The apparatus includes a vacuum chamber, and a plurality of arc ion sources for emitting ion beams on the surface
An ion implantation apparatus for emitting ion beams on the surface of a target for surface modification of the target, comprising: a vacuum chamber; a plurality of arc ion sources mounted on openings formed on said vacuum chamber, said plurality of arc ion sources emitting ion beams to different po
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