[특허]Method and apparatus for continuous controlled production of single crystal whiskers

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C30B-029/36 C30B-029/38 C30B-029/62 C30B-035/00
출원번호	US-0434986 (1989-11-09)
발명자 / 주소	Milewski John V. (2881 Tramway Pl. NE. Albuquerque NM 87122)
인용정보	피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 0

초록 ▼

Described herein is a method and apparatus for continuously growing single crystal whiskers of silicon carbide, silicon nitride, boron carbide and boron nitride by the VLS process under controlled reaction conditions. A growth substrate such as a plate of solid graphite is coated with a suitable VLS catalyst and is conveyed through a tubular furnace, into which is separately introduced two feed gases. The first feed gas contains a cationic suboxide precursor such as silicon monoxide or boron monoxide. The second feed gas contains an anionic precursor compound such as methane or ammonia. The precursor compounds react upon exposure to the catalyst by the VLS process to produce crystalline whiskers. The associated apparatus includes a conveyor assembly that continuously circulates multiple substrate growth plates through the furnace and past a harvesting device which brushes the whiskers from the plates and removes them by vacuum collection. Whiskers of uniform size, shape, and purity are produced.

대표청구항 ▼

In the VLS process for growing crystalline whiskers of silicon carbide or silicon nitride on a growth substrate coated with a VLS catalyst, wherein silicon monoxide and an anionic feed gas selected from the group consisting of gaseous light hydrocarbons and ammonia are reacted under VLS growth conditions in a growth zone of a furnace in which said substrate is positioned, the improvement comprising providing gaseous silicon monoxide for whisker formation by passing a carrier gas stream through a silicon dioxide and carbon mass in a porous silicon monoxide generator located separate from said growth zone, whereby gaseous silicon monoxide is introduced into said growth zone at a controlled concentration and flow rate.

이 특허를 인용한 특허 (13)

Yeckley,Russell L.; Wu,Shanghua, Alumina-boron carbide ceramics and methods of making and using the same.
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Garnier, John E.; Griffith, George W., Boron carbide fiber reinforced articles.
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Yeckley,Russell L.; Wu,Shanghua, Ceramic body containing alumina and boron carbide.
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Garnier, John E.; Griffith, George W., Cladding material, tube including such cladding material and methods of forming the same.
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Nygren Mats,SEX ; Johnsson Mats,SEX ; Ahlen Niklas,SEX ; Ekelund Magnus,SEX, Manufacture of titanium carbide, nitride and carbonitride whiskers.
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Coyle Roy Tom ; Ekelund Jan Magnus,SEX, Manufacture of transition metal carbide nitride or carbonitride whiskers.
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Coyle R. Tom ; Ekelund Magnus,SEX ; Nygren Mats,SEX ; Johnsson Mats,SEX, Manufacture of transition metal carbide, nitride and carbonitride whiskers.
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Johnsson Mats,SEX ; Ahlen Niklas,SEX ; Nygren Mats,SEX ; Ekelund Magnus,SEX ; Brandt Gunnar,SEX, Manufacture of transition metal carbide, nitride, and carbonitride whiskers containing two or more transition metals.
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Garnier, John E., Metal carbide fibers and methods for their manufacture.
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Yeckley,Russell L.; Wu,Shanghua, Method of machining a workpiece using a ceramic cutting insert including alumina and boron carbide.
상세보기
Garnier, John E.; Griffith, George W., Methods for producing silicon carbide fibers.
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Garnier, John E.; Griffith, George W., Methods of producing continuous boron carbide fibers.
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Yeckley,Russell L.; Wu,Shanghua, Process for making a ceramic body containing alumina and boron carbide.
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특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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