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특허 상세정보

AlxGa1-x as probe for use in electro-optic sampling

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) G01R-031/00   
미국특허분류(USC) 324/96 ; 324/117R
출원번호 US-0948059 (1992-09-21)
발명자 / 주소
  • Dykaar Douglas R. (Gillette NJ) Keil Ulrich D. (Warren NJ) Kopf Rose F. (Greenbrook NJ) Laskowski Edward J. (Scotch Plains NJ) Zydzik George J. (Columbia NJ)
출원인 / 주소
  • AT&T Corp. (Murray Hill NJ 02)
인용정보 피인용 횟수 : 11  인용 특허 : 0
초록

A new electro-optic sampling probe with femtosecond resolution suitable for ultra-fast electro-optic sampling. The new probe is several times thinner and has a dielectric constant four times less than the best reported conventional bulk LiTaO3 probes. In addition, the ultimate bandwidth is 50 percent greater than an equivalent LiTaO3 probe. The probe is a thin film of AlxGa1-xAs used in both total internally reflecting and free-standing geometries. Here x is chosen for sufficient transmission of the crystal to the wavelength of the laser source being use...

대표
청구항

An electro-optic probe for use in electro-optic sampling of electronic and opto-electronic circuits which comprises a crystal which exhibits longitudinal electro-optic effect, said crystal is a thin film comprising AlxGa1-xAs wherein x is chosen for sufficient transparency to a laser source being used in the electro-optic sampling, the thickness of said film is chosen to be thin compared to a spatial extent of the laser pulse of said laser source, said probe crystal is a freestanding probe, and said probe crystal is provided with an anti-reflective coati...