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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0190393 (1994-02-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 27 인용 특허 : 0 |
A method for forming a direct wafer bonded structure having a buried high temperature metal nitride layer (16) and improved thermal conductivity is provided. By patterning the high temperature metal nitride layer (16) with a non-oxidizing photoresist stripper and absent a photoresist hardening step,
A method for making a direct wafer bonded structure comprising the steps of: providing an active substrate of a first conductivity type having a first and second surface; forming a high temperature metal nitride layer on the first surface of the active substrate; depositing a photoresist layer on th
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