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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0153961 (1993-11-18) |
우선권정보 | JP-0332507 (1992-11-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 0 |
A semiconductor memory device comprises a word lines (15), pairs of complementary data lines (17, 18), memory elements (MC11) respectively arranged at each intersection of the word lines and the pairs of complementary data lines, pairs of complementary signal lines (17s, 18s) each associated with a
A semiconductor memory device comprising a plurality of word lines, a plurality of pairs of bit lines, a plurality of memory cells each disposed at one of intersections of said word lines and said pairs of bit lines, a pair of data lines, a sense amplifier coupled to said pair of data lines, a plura
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