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Edge transition detection disable circuit to alter memory device operating characteristics 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G11C-008/00
출원번호 US-0129763 (1993-09-30)
발명자 / 주소
  • McClure David C. (Carrollton TX)
출원인 / 주소
  • SGS-Thomson Microelectronics, Inc. (Carrollton TX 02)
인용정보 피인용 횟수 : 8  인용 특허 : 0

초록

An edge transition detector for a static access memory integrated circuit provides programmable operating characteristics. The edge transition detector includes a delay line taking a state signal received on a signal line as an input and generating a delayed state signal. An exclusive-OR gate takes

대표청구항

An edge transition detection device, comprising: a plurality of delay lines responsive to a plurality of state signals received on a plurality of signal lines as inputs, the delay lines generating a delayed state signals; a plurality of exclusive-OR gates responsive to the state signals and the dela

이 특허를 인용한 특허 (8)

  1. James W. Wilkins, Dummy wordline for controlling the timing of the firing of sense amplifiers in a memory device in relation to the firing of wordlines in the memory device.
  2. Wilkins, James W., Dummy wordline for controlling the timing of the firing of sense amplifiers in a memory device in relation to the firing of wordlines in the memory device.
  3. McClure David Charles, Edge transition detection circuit with variable impedance delay elements.
  4. Dray, Cyrille, Integrated circuit and method of detecting a signal edge transition.
  5. Sandhu Bal S. (Fremont CA), Method and apparatus for implementing a high-speed dynamic line driver.
  6. Batson Kevin A. ; Ross ; Jr. Robert A., Programmable high performance mode for multi-way associative cache/memory designs.
  7. Fagan, John L.; Bossard, Mark, Selectable delay pulse generator.
  8. Baugher,Ernest S., System and method for generating data validation rules.
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