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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0329841 (1994-10-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 25 인용 특허 : 0 |
Reaction products of metal halides with organic chalcogenides and dichalcogenides provide single source precursors for metal dichalcogenide coatings. The single source precursors are sublimed at reduced pressure and allowed to contact a substrate maintained at an elevated temperature. The resulting
A process for coating a substrate with metal dichalcogenide by chemical vapor deposition from a single source precursor, comprising: a) selecting as said precursor the reaction product of the halide of a metal, M, capable of forming a metal dichalcogenide, and an organic chalcogenide or dichalcogeni
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