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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0255695 (1994-06-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 79 인용 특허 : 0 |
A vertical Triple Heterojunction Bipolar Transistor (THBT) and method of fabrication therefor. The THBT collector has a substrate layer of N+silicon, an N-silicon layer grown on the substrate and a Si/SiGe superlattice grown on the N-silicon layer. The THBT base is layer of P+SiGe grown on the super
A Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) comprised of: a first superlattice in a collector region; a second superlattice in an emitter region; a base layer between said emitter and said collector region; and said first and said second superlattice comprising: alternating layers of a first and a sec
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