[특허]Method for fabricating a semiconductor device

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Method for fabricating a semiconductor device 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-029/49
출원번호	US-0284862 (1994-08-02)
우선권정보	KR-0000425 (1994-01-12)
발명자 / 주소	Jun Young K. (Seoul KRX)
출원인 / 주소	Goldstar Electron Co., Ltd. (Chungcheongbuk KRX 03)
인용정보	피인용 횟수 : 17 인용 특허 : 0

초록 ▼

A method for the fabrication of semiconductor device includes the steps of forming a first wiring layer on an insulating film overlaying a semiconductor substrate, depositing an interlayer insulating film entirely on the first wiring layer, etching the interlayer insulating film selectively to form a contact hole exposing the first wiring layer therethrough, forming a metal film on the interlayer insulating film and in the contact hole, etching the metal film selectively to leave the metal film only around the contact hole, depositing a mid-insulating film on the remaining metal film and on the interlayer insulating film applying annealing to the metal film to form a metal plug in the contact hole, the metal film filling the contact hole, removing the mid-insulating film and forming a second wiring layer on the interlayer insulating film and on the metal plug.

대표청구항 ▼

A method for fabricating a semiconductor device, the method comprising the steps of: providing an insulating film over a semiconductor substrate; forming a first wiring layer on the insulating film; depositing an interlayer insulating film on the entirety of said first wiring layer; etching said interlayer insulating film selectively to form a contact hole exposing said first wiring layer therethrough; forming a metal film on said interlayer insulating film and in said contact hole; etching said metal film selectively so that said metal film remains only around said contact hole; depositing a mid-insulating film on said remaining metal film and on said interlayer insulating film; annealing said metal film to form a metal plug in said contact hole, said metal film filling said contact hole; removing said mid-insulating film; and forming a second wiring layer on said interlayer insulating film and on said metal plug.

이 특허를 인용한 특허 (17)

Ku Tzu-Kun,TWX, CVD titanium silicide for contract hole plugs.
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Lee, Jin-Yuan; Lin, Mou-Shiung; Huang, Ching-Cheng, Chip structure and process for forming the same.
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Xu Zheng (Foster City CA) Yao Tse-Yong (Sunnyvale CA) Kieu Hoa (Sunnyvale CA) Aranovich Julio (Palo Alto CA), Method of filling of contact openings and vias by self-extrusion of overlying compressively stressed matal layer.
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Eimori Takahisa,JPX ; Kimura Hiroshi,JPX, Semiconductor device and manufacturing process thereof.
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특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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