[특허]Manufacture of silicon carbide foam from a polyurethane foam impregnated with resin containing silicon

Pechiney Recherche (Courbevoie FRX 03)

Manufacture of silicon carbide foam from a polyurethane foam impregnated with resin containing silicon

국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	B29C-065/00
출원번호	US-0234962 (1994-04-28)
우선권정보	FR-0006015 (1993-05-13)
발명자 / 주소	Prin Marie (Moirans FRX) Baluais Gard (La Murette FRX)
출원인 / 주소	Pechiney Recherche (Courbevoie FRX 03)
인용정보	피인용 횟수 : 25 인용 특허 : 0

초록 ▼

A process for preparing a silicon carbide foam by impregnating a polyurethane foam with a suspension of silicon powder in an organic resin, heating progressively to polymerize the resin, heating further to carbonize the polyurethane foam and resin, and finally further heating to carburize the silicon contained in the resin suspension by means of carbon obtained from the carbonization of the foam and resin. The foam obtained is characterized by high macroporosity and a mesoporosity which is variable according to the carburizing temperature.

대표청구항 ▼

Process for manufacturing a foam consisting essentially of silicon carbide and containing not more than 0.1 wt % residual silicon, comprising the steps of: a) impregnating a preformed polyurethane foam with a suspension of powdered Si in an oxygenated organic resin, optionally containing a solvent, the weight ratio of Si to resin being about 0.58 to 1.17, and the oxygen content of the resin being at least about 15 wt %, adjusting the weight ratio of resin to polyurethane foam to between 2.5 and 5 by eliminating excess resin; b) eliminating any solvent present in the impregnated foam; c) polymerizing the resin in the impregnated foam by progressively increasing the temperature to 250°C. with a rate of temperature increase of about 5°C./min; d) simultaneously carbonizing the polyurethane foam and polymerized resin by progressively increasing the temperature from 250°to 1000°C. in an inert atmosphere containing less than 100 ppm oxygen and less than 1% nitrogen; e) carburizing the silicon in the carbonized foam and resin by progressively increasing the temperature to a temperature T between 1300°C. and 1600°C. with a rate of temperature increase of about 3°C./min in an inert atmosphere, and maintaining T for at least two hours in an inert atmosphere to obtain silicon carbide; and f) cooling the silicon carbide obtained.

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