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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | H01L-027/14 H01L-031/00 |
미국특허분류(USC) | 257/442 ; 257/440 ; 257/31 ; 257/21 |
출원번호 | US-0014938 (1993-02-08) |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 | |
인용정보 | 피인용 횟수 : 17 인용 특허 : 0 |
An integrated radiation detector (10) includes a substrate (12) having a first region (14) comprised of Group III-V semiconductor material, such as GaAs, formed over a first surface, and a second region (26) comprised of Group II-VI semiconductor material, for example HgCdTe, formed over a second, opposite surface. The second region has a bandgap selected for absorbing radiation within a first range of wavelengths, such as IR radiation within the range of 12 micrometers to three micrometers. A first detector includes an antenna structure (20) coupled to ...
An integrated radiation detector, comprising: a substrate having a first layer of semiconductor material disposed over a first, radiation receiving, surface and a second layer of semiconductor material disposed over a second surface; a first detector disposed over said first, radiation receiving surface of said substrate, said first detector being electrically coupled to said first layer of semiconductor material and responsive to electromagnetic radiation having a first wavelength within a range of sub-millimeter wavelengths to millimeter wavelengths; a...