$\require{mediawiki-texvc}$
  • 검색어에 아래의 연산자를 사용하시면 더 정확한 검색결과를 얻을 수 있습니다.
  • 검색연산자
검색도움말
검색연산자 기능 검색시 예
() 우선순위가 가장 높은 연산자 예1) (나노 (기계 | machine))
공백 두 개의 검색어(식)을 모두 포함하고 있는 문서 검색 예1) (나노 기계)
예2) 나노 장영실
| 두 개의 검색어(식) 중 하나 이상 포함하고 있는 문서 검색 예1) (줄기세포 | 면역)
예2) 줄기세포 | 장영실
! NOT 이후에 있는 검색어가 포함된 문서는 제외 예1) (황금 !백금)
예2) !image
* 검색어의 *란에 0개 이상의 임의의 문자가 포함된 문서 검색 예) semi*
"" 따옴표 내의 구문과 완전히 일치하는 문서만 검색 예) "Transform and Quantization"

통합검색

도움말도움말
상세검색 다국어 입력

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

특허 상세정보

MyON담기
내보내기 페이스북 공유 카카오톡 공유

Sublimation growth of single crystal SiC

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C30B-023/00    H01L-021/20   
미국특허분류(USC) 117/84 ; 117/105 ; 117/951 ; 437/100
출원번호 US-0213055 (1994-03-15)
우선권정보 JP-0055687 (1993-03-16)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 25  인용 특허 : 0
초록

A method of growing a first SiC single crystal on a seed crystal including a second SiC single crystal, comprises the steps of setting a SiC source material at an initial temperature, growing the first SiC single crystal on the seed crystal including the second SiC single crystal at a temperature lower than the initial temperature of the source material and gradually decreasing the source material temperature from the initial temperature during at least a predetermined period during the growing step.

대표
청구항

A method of growing a first SiC single crystal on a seed crystal including a second SiC single crystal, said method comprising the steps of: setting a SiC source material at an initial temperature; growing said first SiC single crystal on said seed crystal including said second SiC single crystal at a temperature lower than said initial temperature of said source material; and gradually decreasing said source material temperature from said initial temperature during at least a predetermined period during said growing step.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 25

  1. Glass Robert C. (Chapel Hill NC) Gaida Walter E. (East Pittsburgh PA) Ronallo Ronald R. (Pittsburgh PA) Hobgood Hudson McDonald (Murrysville PA). Apparatus for growing silicon carbide crystals. USP1997095667587.
  2. Chen, Zhizhan; Shi, Erwei; Yan, Chengfeng; Xiao, Bing. Apparatus with two-chamber structure for growing silicon carbide crystals. USP2016019228275.
  3. Snyder, David W.; Everson, William J.. Axial gradient transport apparatus and process. USP2004106800136.
  4. Kordina Olle,SEX ; Hallin Christer,SEX ; Janzen Erik,SEX. Device and a method for epitaxially growing objects by CVD. USP2000026030661.
  5. Kordina Olle,SEX ; Hermansson Willy,SEX ; Tuominen Marko,SEX. Device for heat treatment of objects and a method for producing a susceptor. USP1999035879462.
  6. Wu, Ping; Zwieback, Ilya; Gupta, Avinesh K.; Semenas, Edward. Fabrication of SiC substrates with low warp and bow. USP2013058449671.
  7. Snyder, David W.; Everson, William J.. Large size single crystal seed crystal fabrication by intergrowth of tiled seed crystals. USP2004106805745.
  8. Kazukuni Hara JP; Kouki Futatsuyama JP; Shoichi Onda JP; Fusao Hirose JP; Emi Oguri JP; Naohiro Sugiyama JP; Atsuto Okamoto JP. Method and apparatus for fabricating high quality single crystal. USP2002096451112.
  9. Harald Kuhn DE; Rene Stein DE; Johannes Volkl DE. Method for growing SiC single crystals. USP2002126497764.
  10. Kuhn, Harald; Stein, Rene; Voelkl, Johannes. Method for the sublimation growth of an SiC single crystal, involving heating under growth pressure. USP2004086773505.
  11. Leonard, Robert Tyler; Powell, Adrian; Tsvetkov, Valeri F.. Method of producing high quality silicon carbide crystal in a seeded growth system. USP2017109790619.
  12. Golan, Gady. Method of producing silicon carbide. USP2003046554897.
  13. Gady Golan IL. Method of producing silicon carbide: heating and lighting elements. USP2002126497829.
  14. Kitou Yasuo,JPX ; Sugiyama Naohiro,JPX ; Okamoto Atsuto,JPX ; Tani Toshihiko,JPX ; Kamiya Nobuo,JPX. Method of producing single crystals and a seed crystal used in the method. USP1999085944890.
  15. Kito Yasuo,JPX ; Kotanshi Youichi,JPX ; Onda Shoichi,JPX ; Hanazawa Tatuyuki,JPX ; Kitaoka Eiji,JPX. Method of producing single-crystal silicon carbide. USP2000086110279.
  16. Wang, Shaoping; Kopec, Aneta; Ware, Rodd Mitchell; Holmes, Sonia. Method of silicon carbide monocrystalline boule growth. USP2004086780243.
  17. So Jason Siucheong. Method of stress testing integrated circuit having memory and integrated circuit having stress tester for memory thereof. USP1999035883844.
  18. Mueller, Stephan. Methods of fabricating silicon carbide crystals. USP2004036706114.
  19. Mueller,Stephan. Methods of fabricating silicon carbide crystals. USP2009037501022.
  20. Mueller,Stephan. Methods of fabricating silicon carbide crystals. USP2006117135072.
  21. Straubinger, Thomas; Vogel, Michael; Wohlfart, Andreas. Monocrystalline SiC substrate with a non-homogeneous lattice plane course. USP2017039590046.
  22. Kitoh Yasuo,JPX ; Suzuki Masahiko,JPX ; Sugiyama Naohiro,JPX. Process for growing single crystal. USP1999045895526.
  23. Leonard, Robert Tyler; Powell, Adrian; Tsvetkov, Valeri F.. Producing high quality bulk silicon carbide single crystal by managing thermal stresses at a seed interface. USP2015129200381.
  24. Straubinger, Thomas; Vogel, Michael; Wohlfart, Andreas. Production method for an SiC volume monocrystal with a non-homogeneous lattice plane course and a monocrystalline SiC substrate with a non-homogeneous lattice plane course. USP2014068758510.
  25. Hunter Charles Eric ; Verbiest Dirk. Silicon carbide gemstones. USP1998065762896.

IPC 상위 출원인