최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0213055 (1994-03-15) |
우선권정보 | JP-0055687 (1993-03-16) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 25 인용 특허 : 0 |
A method of growing a first SiC single crystal on a seed crystal including a second SiC single crystal, comprises the steps of setting a SiC source material at an initial temperature, growing the first SiC single crystal on the seed crystal including the second SiC single crystal at a temperature lo
A method of growing a first SiC single crystal on a seed crystal including a second SiC single crystal, said method comprising the steps of: setting a SiC source material at an initial temperature; growing said first SiC single crystal on said seed crystal including said second SiC single crystal at
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.