최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0278073 (1994-07-20) |
우선권정보 | JP-0178676 (1993-07-20) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 52 인용 특허 : 0 |
In depositing a silicon oxide film which constitutes part of a final passivation film onto a bonding pad formed on an interlayer insulating film, the silicon oxide depositing step is divided in two stages, and after the first deposition, the bonding pad is once exposed by etching, then the second de
A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device, comprising steps of: (a) providing a semiconductor substrate having a main surface, with a fuse element on said main surface; (b) forming an interlayer insulating film over said fuse element so as to cover said fuse element and sa
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.