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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0307953 (1994-09-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 184 인용 특허 : 0 |
A monolithic high-Q inductor structure is formed with multiple metalization levels in a conventional integrated circuit technology in which inductor turns utilize these multiple levels to reduce the inductor resistance. Inductors with Q values above five can be integrated with this approach at radio
A high Q monolithic inductor structure formed using a conventional silicon technology comprising at least first and second metal levels separated from one another by a first insulating layer, said first and second metal levels being formed with identical spiral patterns and connected through via hol
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