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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0262859 (1994-06-21) |
우선권정보 | KR-0011409 (1993-06-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 0 |
A pyroelectric thin film infrared sensor including a lower Pt electrode disposed on the upper surface of a substrate, a pyroelectric thin film disposed on the upper surface of lower Pt electrode such that its right portion overlaps with a predetermined region of lower Pt electrode, and an upper Cr e
A pyroelectric thin film infrared sensor comprising: a substrate; a lower electrode disposed on a predetermined region of an upper surface of the substrate; a pyroelectric thin film disposed on a predetermined region of an upper surface of the lower electrode; an upper electrode disposed on a predet
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