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Method of fabricating high voltage silicon carbide MESFETs 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/8232
출원번호 US-0355034 (1994-12-13)
발명자 / 주소
  • Baliga Bantval J. (Raleigh NC)
출원인 / 주소
  • North Carolina State University (Raleigh NC 02)
인용정보 피인용 횟수 : 29  인용 특허 : 0

초록 ▼

A high voltage silicon carbide MESFET includes an electric field equalizing region in a monocrystalline silicon carbide substrate at a face thereof, which extends between the drain and gate of the MESFET and between the source and gate of the MESFET. The region equalizes the electric field between t

대표청구항 ▼

A method of fabricating a silicon carbide field effect transistor, comprising the steps of: forming spaced apart source and drain regions in a fact of a monocrystalline silicon carbide substrate, and a gate on said face between said spaced apart source and drain regions; and amorphizing said monocry

이 특허를 인용한 특허 (29)

  1. Baliga Bantval Jayant, Bidirectional silicon carbide power devices having voltage supporting regions therein for providing improved blocking voltage capability.
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  2. Eastman Lester Fuess ; Shealy James Richard, Field effect semiconductor device having dipole barrier.
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  3. Corona, Donato; Frazzetto, Nicolo′; Grimaldi, Antonio Giuseppe; Iacono, Corrado; Micciche′, Monica, Integrated electronic device and method for manufacturing thereof.
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  4. Corona, Donato; Frazzetto, Nicolo′; Grimaldi, Antonio Giuseppe; Iacono, Corrado; Micciche′, Monica, Integrated electronic device and method for manufacturing thereof.
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  5. Frisina, Ferruccio; Magri', Angelo; Saggio, Mario Giuseppe, Integrated electronic device with edge-termination structure and manufacturing method thereof.
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  6. Frisina, Ferruccio; Magri′, Angelo; Saggio, Mario Giuseppe, Integrated electronic device with edge-termination structure and manufacturing method thereof.
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  7. Bakowski Mietek,SEX ; Gustafsson Ulf,SEX, Junction termination for SiC Schottky diode.
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  8. Singh,Ranbir, Lateral epitaxial GaN metal insulator semiconductor field effect transistor.
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  9. Singh,Ranbir, Lateral super junction field effect transistor.
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  10. Seng,William F.; Woodin,Richard L.; Witt,Carl Anthony, Method and device with durable contact on silicon carbide.
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  11. Harris Christopher,SEX ; Konstantinov Andrei,SEX ; Janzen Erik,SEX, Method for introduction of an impurity dopant in SiC, a semiconductor device formed by the method and a use of a highly doped amorphous layer as a source for dopant diffusion into SiC.
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  12. Harris Christopher,SEX ; Konstantinov Andrei,SEX ; Janzen Erik,SEX, Method for introduction of an impurity dopant in SiC, a semiconductor device formed by the method and a use of highly d.
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  13. Lee Sang Don,KRX, Method for manufacturing semiconductor device.
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  14. Brown Adam R.,NLX ; De Boer Wiebe B.,NLX, Method of manufacturing a semiconductor device with a schottky junction.
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  15. Suvorov Alexander ; Palmour John W. ; Singh Ranbir, Methods of fabricating silicon carbide power devices by controlled annealing.
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  16. Suvorov Alexander ; Palmour John W. ; Singh Ranbir, Methods of fabricating silicon carbide power devices by controlled annealing.
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  17. Rodder, Mark S.; Seo, Kang-ill, Methods of forming a Field Effect Transistor, including forming a region providing enhanced oxidation.
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  18. Lee Joo-hyung,KRX, Methods of forming polycrystalline semiconductor layers.
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  19. Alok, Dev; Arnold, Emil, Passivated silicon carbide devices with low leakage current and method of fabricating.
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  20. Suvorov Alexander ; Palmour John W. ; Singh Ranbir, Self-aligned methods of fabricating silicon carbide power devices by implantation and lateral diffusion.
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  21. Sankin,Igor; Casady,Janna B.; Merrett,Joseph N., Self-aligned silicon carbide semiconductor devices and methods of making the same.
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  22. Sankin,Igor; Casady,Janna B.; Merrett,Joseph N., Self-aligned silicon carbide semiconductor devices and methods of making the same.
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  23. Bakowsky Mietek,SEX ; Bijlenga Bo,SEX ; Gustafsson Ulf,SEX ; Harris Christopher,SEX ; Savage Susan,SEX, SiC Semiconductor device comprising a pn Junction with a voltage absorbing edge.
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  24. Bakowsky Mietek,SEX ; Bijlenga Bo,SEX ; Gustafsson Ulf,SEX ; Harris Christopher,SEX ; Savage Susan,SEX, SiC semiconductor device comprising a pn junction with a voltage absorbing edge.
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  25. Ueno Katsunori,JPX, Silicon carbide vertical FET and method for manufacturing the same.
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  26. Gealy, F. Daniel; Mathew, Suraj J.; Srividya, Cancheepuram V., Transistors having argon gate implants and methods of forming the same.
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  27. Srividya, Cancheepuram V.; Mathew, Suraj; Gealy, Dan, Transistors having argon gate implants and methods of forming the same.
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  28. Frisina, Ferruccio; Saggio, Mario Giuseppe; Magri', Angelo, Vertical-conduction integrated electronic device and method for manufacturing thereof.
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  29. Frisina, Ferruccio; Saggio, Mario Giuseppe; Magri′, Angelo, Vertical-conduction integrated electronic device and method for manufacturing thereof.
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