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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0363634 (1994-12-21) |
우선권정보 | KR-0028892 (1993-12-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 0 |
A method for forming a metal wiring of a semiconductor device, capable of avoiding a complexity of procedural steps involved in the formation of a metal plug buried in deeper contact holes having different depths in the formation of the metal wiring buried in the contact holes. The method includes t
A method for forming a metal wiring of a semiconductor device, comprising the steps of: forming a lower conduction wiring on a silicon substrate such that the lower conduction wiring is insulated from the silicon substrate, and then forming a first insulating film for a planarization over the lower
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