[특허]Solid state radiation imager with high integrity barrier layer and method of fabricating

Solid state radiation imager with high integrity barrier layer and method of fabricating 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-031/055 H01L-027/146
출원번호	US-0099370 (1993-07-29)
발명자 / 주소	Kwasnick Robert F. (Schenectady NY) Wei Ching-Yeu (Schenectady NY) Kingsley Jack D. (Schenectady NY)
출원인 / 주소	General Electric Company (Schenectady NY 02)
인용정보	피인용 횟수 : 20 인용 특허 : 0

초록 ▼

A radiation imager includes a photosensor barrier layer disposed between an amorphous silicon photosensor array and the scintillator. The barrier layer includes two strata, the first stratum being silicon oxide disposed over the upper conductive layer of the photosensor array and the second stratum is silicon nitride that is disposed over the first stratum. The photosensor barrier layer has a shape that substantially conforms to the the shape of the underlying upper conductive layer and has a maximum thickness of about 3 microns. The silicon oxide and silicon nitride are deposited in a vapor deposition process at less than about 250°C. using tetraethoxysilane (TEOS) as the silicon source gas.

대표청구항 ▼

A solid state imager comprising: a photosensor array having an upper conductive layer disposed substantially thereover, said upper conductive layer having an undulating surface topography corresponding to the contour of the underlying photosensor array components; a photosensor array barrier layer comprising a first stratum disposed over said upper conductive layer, and a second stratum disposed over said first stratum, said first stratum comprising silicon oxide and said second stratum comprising silicon nitride, said barrier layer having a shape conforming to the underlying conductive layer and having a maximum thickness of less than about 3 mm; and a scintillator disposed over said photosensor array barrier layer and optically coupled to said photosensor array through said barrier layer; said first stratum providing a robust moisture barrier and said second stratum providing an adhesion bonding surface for said scintillator.

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