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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0141027 (1993-10-25) |
우선권정보 | JP-0292499 (1988-11-21); JP-0045403 (1989-02-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 90 인용 특허 : 0 |
A semiconductor device such as FET or charge coupled device, having a channel or a charge coupled portion provided in a thin semiconductor layer which is nearly perpendicular to the substrate and to which the necessary electrode such as the gate electrode and the necessary insulating layer are added
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: (a) providing a silicon substrate having projections of silicon extending from a surface thereof, a remaining portion of the silicon substrate not having the projections extending from the surface thereof, the projections res
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