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특허 상세정보

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Gas sensors

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) G01N-033/00   
미국특허분류(USC) 436/144 ; 422/88 ; 422/90 ; 422/98
출원번호 US-0949847 (1992-11-19)
우선권정보 GB-0006176 (1990-03-19)
국제출원번호 PCT/GB91/00400 (1991-03-15)
§371/§102 date 19921119 (19921119)
국제공개번호 WO-9114939 (1991-10-03)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 7  인용 특허 : 0
초록

SnO2 gas sensors are described incorporating Bi2O3 in an amount less than 35% but sufficient to confer hydrogen sensitivity and selectivity to the sensors described comprises 25% by weight Bi2O3 and incorporates a platinum catalyst.

대표
청구항

A method of measuring hydrogen concentrations in gases comprising the use of a sensor of the SnO2 type comprising a layer of tin (IV) oxide (SnO2) incorporating bismuth (III) oxide (Bi2O3) wherein the Bi2O3 is present in an amount in excess of 17% by weight and less than 35% by weight based on the total amount of SnO2 and Bi2O3 and sufficient that the sensor has hydrogen sensitivity and selectivity over the gases CO and CH4.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 7

  1. Glaunsinger William ; Sorensen Ian ; Bao Qingcheng ; McKelvy Michael J.. Chemical switch for detection of chemical components. USP1999045891395.
  2. Glaunsinger William ; Sorensen Ian ; Bao Qingcheng ; McKelvy Michael J.. Chemical switch for detection of chemical components. USP1999085939020.
  3. Ramer,Orville G.; Billette,Stuart C.. Ferroelectric capacitor circuit for sensing hydrogen gas. USP2008037345331.
  4. Bao Qingcheng ; Sorensen Ian ; Glaunsinger William. Method for regeneration of a sensor. USP1999115985673.
  5. Nair, Balakrishnan G.; Nachlas, Jesse Alan. Multilayer gas sensor having dual heating zones. USP2011027887685.
  6. Trakhtenberg, Leonid Israilevich; Gromov, Valdimir Fedorovich; Gerasimov, Genrikh Nikolaevich; Rozenberg, Valeriya Isaakovna; Ferguson, Luke. Sensitive materials for gas sensing and method of making same. USP2013088501269.
  7. Cheng Yang-Tse ; Poli Andrea A. ; Meltser Mark Alexander. Thin film hydrogen sensor. USP1999035886614.

IPC 상위 출원인