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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0204423 (1994-03-16) |
우선권정보 | GB-0023684 (1991-11-07) |
국제출원번호 | PCT/GB92/02052 (1992-11-06) |
§371/§102 date | 19940316 (19940316) |
국제공개번호 | WO-9309568 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 0 |
Ohmic contacts to p-type IIB/VIB semiconductor are obtained by a process which includes the step of depositing a viscous liquid containing a Group IB metal salt on a surface of a semiconductor, substantially free of oxide groups, heating to form a dried layer, removing the dried layer, washing the s
The process of making an article having an ohmic contact to p-type IIB/VIB semi-conductor layer is characterised by the successive steps of: depositing a viscous liquid containing a Group IB metal salt on a surface, substantially free of oxide groups, of the layer of the p-type semi-conductor, heati
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